MADRID, 30 Jun. (Portaltic/EP) – Samsung ha anunciado el inicio la producción de chips con un proceso de 3 nanómetros (nm) gracias a la implementación de la arquitectura de transistores ‘Gate-All-Around’ (GAA), que mejora la eficiencia energética
La tecnología de apilamiento GAA a la que ha recurrido Samsung emplea nanoláminas con canales más anchos en lugar de nanocables con canales más estrechos para hacer transistores, un diseño con el que mejora la eficiencia energética y el rendimiento.
Esta arquitectura se recoge bajo el nombre de Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), que reduce el voltaje de suministro y aumenta la capacidad de corriente de la unidad, superando las ventajas que hasta ahora ofrecería FinFET, como recoge Samsung en un comunicado.
La aplicación de MBCFET en la fabricación de semiconductores permite producir transistores de 3nm que, en el caso de la primera generación y respecto al proceso de litografía de 5nm reduce el consumo energético en un 45 por ciento y mejora el rendimiento en 23 por ciento. El área de la superficie también se reduce en un 16 por ciento.
