Samsung ya produce chips de 3 nanómetros
MADRID, 30 Jun. (Portaltic/EP) - Samsung ha anunciado el inicio la producción de chips con un proceso de 3 nanómetros (nm) gracias a la implementación de la arquitectura de transistores 'Gate-All-Around' (GAA), que mejora la eficiencia energética
La tecnología de apilamiento GAA a la que ha recurrido Samsung emplea nanoláminas con canales más anchos en lugar de nanocables con canales más estrechos para hacer transistores, un diseño con el que mejora la eficiencia energética y el rendimiento.
Esta arquitectura se recoge bajo el nombre de Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), que reduce el voltaje de suministro y aumenta la capacidad de corriente de la unidad, superando las ventajas que hasta ahora ofrecería FinFET, como recoge Samsung en un comunicado.
La aplicación de MBCFET en la fabricación de semiconductores permite producir transistores de 3nm que, en el caso de la primera generación y respecto al proceso de litografía de 5nm reduce el consumo energético en un 45 por ciento y mejora el rendimiento en 23 por ciento. El área de la superficie también se reduce en un 16 por ciento.
TEMAS RELACIONADOS: #EUROPA PRESS
NO TE PIERDASLa posición boca abajo no ofrece beneficios en la reducción de la intubación en insuficiencia respiratoriaTE PUEDE GUSTAR
Imcruz – Inchcape Bolivia impulsa el desarrollo del deporte cruceño a través de un convenio con la Gobernación
CROWN PRESENTÓ EN BOLIVIA EL NUEVO BYD TI 7 TECNOLOGÍA, POTENCIA E INNOVACIÓN SIN LÍMITES
Perplexity presenta Teammates, sus agentes personales de trabajo para ejecutar tareas continuas de forma autónoma
La app XBOX para PC se renueva con un inicio hasta un 60% más rápido y mejoras en la búsqueda de juegos
Bolivia prepara una agenda público-privada para proyectar su potencial productivo en el Foro Internacional CAF América Latina y el Caribe 2027
